ไทริสเตอร์ควบคุมเฟส (ชนิดลอยฟรี)

คำอธิบาย:

ด้วยการพัฒนากำลังและความจุที่เพิ่มขึ้นของอุปกรณ์คอนเวอร์เตอร์ โดยเฉพาะการส่ง HVDC ความจุกำลังขับของยูนิตไทริสเตอร์จึงได้รับการร้องขอให้เพิ่มขึ้นตาม ซึ่งจะทำให้ปริมาณการติดตั้งของไทริสเตอร์ในวงจรเชื่อมต่อแบบอนุกรมและขนานลดลงขนาดและน้ำหนักของอุปกรณ์จะลดลง ลงทุนน้อยลง แม้กระทั่งกระแสและแรงดันเท่ากันก็จะรับรู้ได้ง่าย การทำงานที่เชื่อถือได้และมูลค่าเชิงพาณิชย์จะเพิ่มขึ้นอย่างมาก

เทคโนโลยีซิลิกอนแบบลอยตัวอิสระที่ใช้ในการผลิตไทริสเตอร์กระแสสูงกำลังสูงจะเป็นไปตามข้อกำหนดการใช้งานมาตรฐานระดับสูงและในเดือนกรกฎาคม 2019 RUNAU Electronics ได้พัฒนาไทริสเตอร์ 5200V พร้อมชิปขนาด 5 นิ้วได้สำเร็จและส่งมอบให้กับลูกค้าซึ่งนำไปใช้ในโครงการ China HVDC

การแนะนำ:

1. ชิป

ชิปไทริสเตอร์มาตรฐานสูงที่ผลิตโดย RUNAU Electronics ใช้เทคโนโลยีลอยตัวอิสระได้รับการยอมรับอย่างดีว่าเป็นเทคโนโลยีล่าสุดและสมบูรณ์สำหรับการผลิตไทริสเตอร์แรงดันสูงกำลังสูงมีการใช้กันอย่างแพร่หลายโดยผู้ผลิตระดับโลกส่วนใหญ่

กระบวนการแพร่กระจายได้รับการปรับให้เหมาะสมในด้านความหนาแน่นและความกว้างเพื่อเพิ่มความต้านทานแรงดันไฟฟ้า ลดแรงดันไฟตกในสถานะ และปรับปรุงคุณสมบัติทริกเกอร์และไดนามิกรูปแบบ photolithography ใหม่ได้รับการออกแบบมาเพื่อปรับปรุงคุณสมบัติ di/dt และ dv/dtโครงสร้างหน้าสัมผัสของชิปถูกสร้างขึ้นใหม่เพื่อป้องกันขอบของซิลิคอนเวเฟอร์และพื้นผิวแคโทด ประสิทธิภาพของแรงดันย้อนกลับจะดีขึ้นอย่างมาก

2. การห่อหุ้ม

ข้อได้เปรียบของเทคโนโลยีซิลิกอนลอยตัวอิสระคือการเสียรูประหว่างซิลิกอนและเวเฟอร์โมลิบดีนัมที่ถูกยับยั้งอย่างมาก และการบริโภคเวเฟอร์โมลิบดีนัมลดลงในขณะที่ความเรียบของแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนและบล็อกทองแดงของบรรจุภัณฑ์นั้นมีความจำเป็นสูง เช่นเดียวกับความต้องการด้านความขนานและความหยาบที่สูงกว่าเทคโนโลยีชิปผสมด้วยการปรับปรุงและนวัตกรรมอย่างต่อเนื่อง RUNAU Electronic สามารถเอาชนะปัญหาและอุปสรรคทางเทคนิคทั้งหมดได้เทคโนโลยีลอยตัวอิสระ ไทริสเตอร์แรงดันสูงกำลังสูงพร้อมประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้และโซลูชันที่มีประสิทธิภาพเชิงพาณิชย์ได้รับการพัฒนาและจัดหาให้กับลูกค้าส่วนใหญ่จะติดตั้งในวงจรเรียงกระแสแบบควบคุมกำลังสูง, ซอฟต์สตาร์ทไฟฟ้าแรงสูง, ระบบส่งกำลัง HVDC, การลากหัวรถจักร, การชดเชยพลังงานรีแอกทีฟแบบไดนามิก และระบบประยุกต์พลังงานพัลส์

ข้อกำหนดทางเทคนิค

1. ไทริสเตอร์แบบควบคุมเฟสพร้อมชิปชนิดอัลลอยด์ที่ผลิตโดย RUNAU Electronics ช่วง I_{ทีเอวี}จาก 350A ถึง 5580A และ V_{ดีอาร์เอ็ม}/V_ร.ฟ.ทจาก 3400V ถึง 8500V
2. I_GT, วี_GTและฉัน_Hเป็นค่าทดสอบที่ 25 ℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น พารามิเตอร์อื่นๆ ทั้งหมดคือค่าทดสอบภายใต้ T_jm;
3. I²เสื้อ=ฉัน²F SM×tw/2, tw= ความกว้างฐานกระแสครึ่งคลื่นไซน์ที่ 50Hz, I²เสื้อ=0.005I²เอฟเอสเอ็ม(อ²ส);
4. ที่ 60Hz: I_{เอฟเอสเอ็ม}(8.3ms)=ฉัน_{เอฟเอสเอ็ม}(10ms)×1.066,ต_j=T_j;ฉัน²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,ต_j=T_jm

พารามิเตอร์: