Fast Switch Thyristor (ซีรีส์ YC มาตรฐานสูง)

คำอธิบาย

มาตรฐานการผลิตและเทคโนโลยีการประมวลผลของ GE ได้รับการแนะนำและใช้งานโดย RUNAU Electronics ตั้งแต่ปี 1980เงื่อนไขการผลิตและการทดสอบที่สมบูรณ์นั้นสอดคล้องกับข้อกำหนดของตลาดสหรัฐอเมริกาอย่างสมบูรณ์ในฐานะผู้บุกเบิกการผลิตไทริสเตอร์ในจีน RUNAU Electronics ได้มอบศิลปะแห่งอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังของรัฐแก่สหรัฐอเมริกา ประเทศในยุโรป และผู้ใช้ทั่วโลกมีคุณสมบัติสูงและได้รับการประเมินจากลูกค้า และรางวัลใหญ่และมูลค่าที่ถูกสร้างขึ้นสำหรับพันธมิตร

การแนะนำ:

1. ชิป

ชิปไทริสเตอร์ที่ผลิตโดย RUNAU Electronics เป็นเทคโนโลยีโลหะผสมซินเตอร์ที่ใช้เวเฟอร์ซิลิกอนและโมลิบดีนัมถูกเผาผนึกเพื่อผสมด้วยอะลูมิเนียมบริสุทธิ์ (99.999%) ภายใต้สภาวะสุญญากาศและอุณหภูมิสูงการจัดการลักษณะการเผาเป็นปัจจัยสำคัญที่ส่งผลต่อคุณภาพของไทริสเตอร์ความรู้ความชำนาญของ RUNAU Electronics นอกเหนือไปจากการจัดการความลึกของจุดเชื่อมต่อโลหะผสม ความเรียบของพื้นผิว ช่องโลหะผสม รวมถึงทักษะการแพร่กระจายเต็มรูปแบบ รูปแบบวงกลมวงแหวน โครงสร้างเกทแบบพิเศษนอกจากนี้ ยังใช้การประมวลผลพิเศษเพื่อลดอายุการใช้งานของพาหะของอุปกรณ์ เพื่อให้ความเร็วในการรวมตัวของพาหะภายในเร็วขึ้นอย่างมาก ค่าธรรมเนียมการกู้คืนย้อนกลับของอุปกรณ์ลดลง และความเร็วในการเปลี่ยนจึงดีขึ้นตามไปด้วยการวัดดังกล่าวถูกนำมาใช้เพื่อปรับคุณสมบัติการสลับอย่างรวดเร็ว ลักษณะสถานะเปิด และคุณสมบัติกระแสไฟกระชากให้เหมาะสมที่สุดประสิทธิภาพและการนำไฟฟ้าของไทริสเตอร์มีความน่าเชื่อถือและมีประสิทธิภาพ

2. การห่อหุ้ม

ด้วยการควบคุมความเรียบและความขนานอย่างเข้มงวดของเวเฟอร์โมลิบดีนัมและแพ็คเกจภายนอก ชิปและเวเฟอร์โมลิบดีนัมจะถูกรวมเข้ากับแพ็คเกจภายนอกอย่างแน่นหนาและสมบูรณ์ดังกล่าวจะปรับความต้านทานของกระแสไฟกระชากและกระแสไฟฟ้าลัดวงจรให้เหมาะสมและการวัดเทคโนโลยีการระเหยของอิเล็กตรอนถูกนำมาใช้เพื่อสร้างฟิล์มอลูมิเนียมหนาบนพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอน และชั้นรูทีเนียมที่ชุบบนพื้นผิวโมลิบดีนัมจะช่วยเพิ่มความทนทานต่อความล้าจากความร้อนอย่างมาก เวลาในการทำงานของไทริสเตอร์สวิตช์แบบเร็วจะเพิ่มขึ้นอย่างมาก

ข้อกำหนดทางเทคนิค

1. ไทริสเตอร์สวิตช์ที่รวดเร็วพร้อมชิปประเภทโลหะผสมที่ผลิตโดย RUNAU Electronics ที่สามารถจัดหาผลิตภัณฑ์ที่มีคุณสมบัติครบถ้วนตามมาตรฐานสหรัฐอเมริกา
2. I_GT, วี_GTและฉัน_Hเป็นค่าทดสอบที่ 25 ℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น พารามิเตอร์อื่นๆ ทั้งหมดคือค่าทดสอบภายใต้ T_jm;
3. I²เสื้อ=ฉัน²F SM×tw/2, tw= ความกว้างฐานกระแสครึ่งคลื่นไซน์ที่ 50Hz, I²เสื้อ=0.005I²เอฟเอสเอ็ม(อ²ส);
4. ที่ 60Hz: I_{เอฟเอสเอ็ม}(8.3ms)=ฉัน_{เอฟเอสเอ็ม}(10ms)×1.066,ต_j=T_j;ฉัน²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,ต_j=T_jm

พารามิเตอร์: