ไทริสเตอร์ควบคุมเฟส (ชนิดโลหะผสม)

คำอธิบาย:

ไทริสเตอร์หรือที่เรียกว่า Silicon Control Rectifier (SCR) เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงที่ประกอบด้วยโครงสร้าง PN สามโครงสร้างในแง่ของประสิทธิภาพ ไทริสเตอร์ไม่เพียงแต่มีการนำไฟฟ้าทิศทางเดียวเท่านั้น แต่ยังมีความสามารถในการควบคุมที่มีค่ามากกว่าองค์ประกอบวงจรเรียงกระแสซิลิกอน ซึ่งมีเพียงสองสถานะของการนำไฟฟ้าและสถานะปิด เพื่อควบคุมพลังงานขนาดใหญ่ด้วยพลังงานขนาดเล็ก ขยายกำลังได้ถึงหลายร้อยหรือ หลายพันครั้งปฏิกิริยารวดเร็วมาก เปิดและปิดภายในเสี้ยววินาทีการทำงานแบบไม่สัมผัส ไม่เกิดประกายไฟ ไม่มีเสียงรบกวน ในขณะที่ประสิทธิภาพสูงและต้นทุนต่ำดังนั้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งในระบบจ่ายไฟสูง ไทริสเตอร์จึงถูกนำมาใช้อย่างแพร่หลายในวงจรเรียงกระแส สวิตช์บายพาสสแตติก สวิตช์เอาท์พุตแบบไม่ต้องสัมผัส และวงจรอื่นๆ

มาตรฐานการผลิตไทริสเตอร์และเทคโนโลยีการประมวลผลของ RUNAU Electronics ได้รับการแนะนำจากสหรัฐอเมริกาตั้งแต่ทศวรรษ 1980 ในฐานะผู้บุกเบิกการผลิตไทริสเตอร์ในจีน ทีมงานด้านเทคนิคของ RUNAU ได้รับความรู้ที่ทันสมัยและประสบการณ์ด้านการผลิตที่กว้างขวางมากว่า 30 ปีบนพื้นฐานของกระบวนการผลิตแบบดั้งเดิม ช่างเทคนิคที่มีความสามารถพิเศษของ RUNAU Electronics ได้พัฒนาเทคโนโลยีที่ทันสมัยในการผลิตไทริสเตอร์ด้วยคุณสมบัติที่ได้เปรียบของผลิตภัณฑ์ในยุโรป คุณภาพและประสิทธิภาพได้รับการปรับปรุงอย่างมาก ประสบความสำเร็จมากขึ้นในการประยุกต์ใช้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง เขตข้อมูลและสร้างมูลค่ามากขึ้นสำหรับคู่ค้า

การแนะนำ:

1. ชิป

ชิปไทริสเตอร์ที่ผลิตโดย RUNAU Electronics เป็นเทคโนโลยีโลหะผสมซินเตอร์ที่ใช้เวเฟอร์ซิลิกอนและโมลิบดีนัมถูกเผาผนึกเพื่อผสมด้วยอะลูมิเนียมบริสุทธิ์ (99.999%) ภายใต้สภาวะสุญญากาศและอุณหภูมิสูงการจัดการลักษณะการเผาเป็นปัจจัยสำคัญที่ส่งผลต่อคุณภาพของไทริสเตอร์ความรู้ความชำนาญของ RUNAU Electronics นอกเหนือไปจากการจัดการความลึกของจุดเชื่อมต่อโลหะผสม ความเรียบของพื้นผิว ช่องโลหะผสม ตลอดจนทักษะการแพร่กระจายเต็มรูปแบบ ประตูกลาง รูปแบบวงกลมวงแหวนถูกนำมาใช้เพื่อให้การดำเนินการนำไฟฟ้าของไทริสเตอร์มีความน่าเชื่อถือและมีประสิทธิภาพสูง เพื่อที่จะ ให้ประสิทธิภาพที่มีคุณภาพสูง

2. การห่อหุ้ม

ด้วยการควบคุมความเรียบและความขนานอย่างเข้มงวดของเวเฟอร์โมลิบดีนัมและแพ็คเกจภายนอก ชิปและเวเฟอร์โมลิบดีนัมจะถูกรวมเข้ากับแพ็คเกจภายนอกอย่างแน่นหนาและสมบูรณ์ดังกล่าวจะปรับความต้านทานของกระแสไฟกระชากและกระแสไฟฟ้าลัดวงจรให้เหมาะสมและการวัดเทคโนโลยีการระเหยของอิเล็กตรอนถูกนำมาใช้เพื่อสร้างฟิล์มอลูมิเนียมหนาบนพื้นผิวซิลิคอนเวเฟอร์ และชั้นรูทีเนียมที่ชุบบนพื้นผิวโมลิบดีนัมจะช่วยเพิ่มความทนทานต่อความล้าจากความร้อนอย่างมาก อายุการใช้งานของไทริสเตอร์จะเพิ่มขึ้นอย่างมาก

ข้อกำหนดทางเทคนิค

1. ไทริสเตอร์แบบควบคุมเฟสพร้อมชิปชนิดอัลลอยด์ที่ผลิตโดย RUNAU Electronics ช่วง I_{ทีเอวี}ตั้งแต่ 300A ถึง 6000A และ V_{ดีอาร์เอ็ม}/V_ร.ฟ.ทจาก 800V ถึง 4400V
2. I_GT, วี_GTและฉัน_Hเป็นค่าทดสอบที่ 25 ℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น พารามิเตอร์อื่นๆ ทั้งหมดคือค่าทดสอบภายใต้ T_jm;
3. I²เสื้อ=ฉัน²F SM×tw/2, tw= ความกว้างฐานกระแสครึ่งคลื่นไซน์ที่ 50Hz, I²เสื้อ=0.005I²เอฟเอสเอ็ม(อ²ส);
4. ที่ 60Hz: I_{เอฟเอสเอ็ม}(8.3ms)=ฉัน_{เอฟเอสเอ็ม}(10ms)×1.066,ต_j=T_j;ฉัน²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,ต_j=T_jm

พารามิเตอร์: