การอ้างอิงเชิงบรรทัดฐานซึ่งใช้โดย Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co ในการผลิตไดโอดเชื่อมมีดังต่อไปนี้:
1. GB/T 4023—1997 อุปกรณ์แยกส่วนของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์และวงจรรวม ส่วนที่ 2: วงจรเรียงกระแสไดโอด
2. GB/T 4937—1995 วิธีทดสอบทางกลและภูมิอากาศสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
3. JB/T 2423—1999 อุปกรณ์กึ่งตัวนำไฟฟ้า – วิธีการสร้างแบบจำลอง
4. JB/T 4277—1996 บรรจุภัณฑ์อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำไฟฟ้า
5. JB/T 7624—1994 วิธีทดสอบไดโอดเรียงกระแส
รุ่นและขนาด
1. ชื่อรุ่น: รุ่นของไดโอดเชื่อมอ้างอิงตามข้อกำหนดของ JB/T 2423-1999 และความหมายของแต่ละส่วนของรุ่นแสดงในรูปที่ 1 ด้านล่าง:
2. สัญลักษณ์กราฟิกและการระบุเทอร์มินัล (ย่อย)
สัญลักษณ์กราฟิกและการระบุขั้วแสดงในรูปที่ 2 ลูกศรชี้ไปที่ขั้วแคโทด
3. รูปร่างและขนาดการติดตั้ง
รูปร่างของรอยเชื่อมไดโอดเป็นแบบนูนและแบบแผ่นดิสก์ และรูปร่างที่มีขนาดควรเป็นไปตามข้อกำหนดของรูปที่ 3 และตารางที่ 1
| รายการ | ขนาด (มม.) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| หน้าแปลนแคโทด (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| แคโทดและแอโนด Mesa(D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0.2 |
| เส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุดของแหวนเซรามิก (D2สูงสุด) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| ความหนารวม (A) | 8 ± 1 | 8 ± 1 | 13±2 |
| รูยึดตำแหน่ง | เส้นผ่านศูนย์กลางของรู: φ3.5±0.2มม.，ความลึกของรู: 1.5±0.3มม. | ||
การให้คะแนนและลักษณะเฉพาะ
1. ระดับพารามิเตอร์
อนุกรมของแรงดันพีคย้อนกลับซ้ำ (VRRM) เป็นไปตามที่ระบุในตารางที่ 2
ตารางที่ 2 ระดับแรงดันไฟฟ้า
| Vร.ฟ.ท（วี） | 200 | 400 |
| ระดับ | 02 | 04 |
2. ค่าจำกัด
ค่าขีดจำกัดต้องเป็นไปตามตารางที่ 3 และใช้กับช่วงอุณหภูมิการทำงานทั้งหมด
ตารางที่ 3 ค่าจำกัด
| ค่าขีด จำกัด | เครื่องหมาย | หน่วย | ค่า | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| อุณหภูมิเคส | ทีเคส | ℃ | -40～85 | |||
| อุณหภูมิทางแยกที่เท่ากัน (สูงสุด) | T（ว.） | ℃ | 170 | |||
| อุณหภูมิในการจัดเก็บ | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| แรงดันย้อนกลับสูงสุดซ้ำ (สูงสุด) | Vร.ฟ.ท | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| ย้อนกลับแรงดันพีคที่ไม่เกิดซ้ำ (สูงสุด | Vอาร์เอสเอ็ม | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| กระแสเฉลี่ยไปข้างหน้า (สูงสุด) | IF（เอวี） | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| กระแสไฟกระชากไปข้างหน้า (ไม่ซ้ำ) (สูงสุด) | Iเอฟเอสเอ็ม | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (สูงสุด) | ฉัน²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| แรงยึด | F | kN | 22～24 | 30～35 | 45～50 | 52～57 |
3. ค่าลักษณะเฉพาะ
ตารางที่ 4 ค่าคุณลักษณะสูงสุด
| ลักษณะและสภาพ | เครื่องหมาย | หน่วย | ค่า | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| ส่งต่อแรงดันสูงสุด IFM=5,000A, ตj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| ย้อนกลับกระแสสูงสุดซ้ำ Tj=25℃, ตj=170℃ | Iร.ฟ.ท | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| การต้านทานความร้อน | Rjc | ℃/W | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
| หมายเหตุ: สำหรับความต้องการพิเศษโปรดปรึกษา | ||||||
เดอะไดโอดเชื่อมผลิตโดย Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในเครื่องเชื่อมความต้านทาน เครื่องเชื่อมความถี่ปานกลางและสูงถึง 2000Hz หรือสูงกว่าไดโอดเชื่อมจาก Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor เป็นหนึ่งในอุปกรณ์ที่เชื่อถือได้มากที่สุดของจีน ด้วยแรงดันไฟไปข้างหน้าต่ำเป็นพิเศษ ความต้านทานความร้อนต่ำเป็นพิเศษ เทคโนโลยีการผลิตที่ทันสมัย ความสามารถในการทดแทนที่ยอดเยี่ยมและประสิทธิภาพที่เสถียรสำหรับผู้ใช้ทั่วโลก ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์
เวลาโพสต์: Jun-14-2023