คำอธิบาย:

ชิปไทริสเตอร์แบบสี่เหลี่ยมเป็นชิปไทริสเตอร์ชนิดหนึ่ง และโครงสร้างเซมิคอนดักเตอร์สี่ชั้นที่มีสามทางแยก PN รวมถึงเกท แคโทด ซิลิคอนเวเฟอร์ และแอโนดแคโทด เวเฟอร์ซิลิคอน และแอโนดล้วนเป็นรูปทรงสี่เหลี่ยมแบนด้านหนึ่งของเวเฟอร์ซิลิกอนติดด้วยแคโทด อีกด้านติดด้วยแอโนด รูตะกั่วเปิดบนแคโทด และเกทถูกจัดเรียงไว้ในรูพื้นผิวเกต แคโทด และแอโนดบุด้วยวัสดุประสานกระบวนการผลิตหลักประกอบด้วย: การทำความสะอาดซิลิคอนเวเฟอร์ การแพร่กระจาย ออกซิเดชัน การถ่ายภาพด้วยแสง การกัดกร่อน การป้องกันฟิล์มเคลือบ การเคลือบโลหะ การทดสอบ และการหั่นเป็นลูกเต๋า

ผลงานการผลิต:

• ITAV=25A~200A

• VRRM=1600V

ประเภทประตู:

• ประตูเข้ามุมสามเหลี่ยม: ITAV=25A~60A

• Round Center Gate: ITAV=110A~200A

โครงสร้าง:

• ดับเบิ้ลเมซ่า

• Metallized anode คือโลหะ TiNiAg หรือ Al+TiNiAg หลายชั้น

• ชั้นแคโทดที่เป็นโลหะคือ Al หรือ TiNiAg

คุณสมบัติ:

• การแพร่กระจายของอะลูมิเนียมแบบกระจาย, แรงดันตกคร่อมในสถานะต่ำ, แรงดันบล็อกสูง

• รูปทรงมุมลบสองเท่า

• วัสดุป้องกันการทู่: SIPOS+GLASS+LTO

• IL ต่ำและใช้งานได้หลากหลาย

• ชั้นอะลูมิเนียมหนาและติดง่าย

• ความสม่ำเสมอของทริกเกอร์ที่ยอดเยี่ยม